特許

J-GLOBAL ID：200903073324994699

半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置

発明者： 中津 浩二 ,  前田 俊秀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-353453
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123238
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】本発明は、半導体発光素子の発光面を含む周囲に形成された蛍光体層を、蛍光体層形成用型に蛍光体含有材料を充填して形成する場合、蛍光体層を所望とする形状に形成することが可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光装置の製造方法は、蛍光体層3を形成するための開口部15を有する蛍光体層形成用型16を半導体発光素子2を実装した基板13上に配設し、蛍光体層形成用型16の開口部15に、アルミナ、二酸化珪素または炭酸カルシウムのいずれかを含み、粒径2μm〜50μmに形成されたビーズを含有する蛍光体含有材料17を充填し、蛍光体層形成用型16を基板13上から取り除き、蛍光体含有材料17を硬化させて蛍光体層3を形成することを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体発光素子の発光面を蛍光体層で被覆する半導体発光装置の製造方法において、 前記蛍光体層を形成するための開口部を有する蛍光体層形成用型を前記半導体発光素子を実装した基板上に配設し、 前記蛍光体層形成用型の前記開口部に、アルミナ、二酸化珪素または炭酸カルシウムのいずれかを含み、粒径2μm〜50μmに形成されたビーズを含有する蛍光体含有材料を充填し、 前記蛍光体層形成用型を前記基板上から取り除き、 前記蛍光体含有材料を硬化させて前記蛍光体層を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (9件)：

5F041AA05 ,  5F041AA07 ,  5F041CA40 ,  5F041DA09 ,  5F041DA45 ,  5F041DA56 ,  5F041DA59 ,  5F041DA74 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光ダイオードのステンシル蛍光体層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-310121   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー