特許
J-GLOBAL ID：200903073334021400
三ふっ化塩素による処理チャンバクリーニング方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043496
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256192
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 基板処理作業中に基板処理システム内に蓄積された粒子および残留物を除去する方法および装置を提供すること。【解決手段】 1つの方法は、基板処理作業終了後、不活性ガスで希釈したClF3から成るエッチング・ガスを処理チャンバ15内に流す段階を含む。最大量が蓄積される処理チャンバ内のシステム部品を加熱し、該部品の広範なクリーニングを促進することが望ましい。処理チャンバ内で蓄積量が少ないシステム部品は、これらを蓄積量の多い部品より約200°C低温に維持することにより、過剰エッチングを防止する。蓄積量の多い処理チャンバ部品を少なくとも約400°Cに加熱することにより、低温処理の場合より低いエッチング・ガス濃度を使用して、クリーニング・プロセスを実行することができる。エッチング・ガスは、処理チャンバ内の粒子および残留物の両方と反応し、粒子関連の欠陥および堆積の形成の両方を減少する。
請求項（抜粋）：
基板処理チャンバ内から残留物を除去する方法において、(a)前記処理チャンバの第1部分を所定の出力レベルで加熱器により第1温度に加熱する段階と、(b)前記加熱器を非作動状態にする段階と、(c)三ふっ化塩素(ClF3)を含むエッチング・ガスを前記処理チャンバ内に流す段階とを備える方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C23C 16/44
, C23F 4/00
, H01L 21/205
H01L 21/285 C
, C23C 16/44 J
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
