特許
J-GLOBAL ID：200903073348599901

フラッシュEEPROMセル及びその製造方法

発明者：
朴 成 彬

朴 成 彬 について

, 
李 信 國

李 信 國 について

, 
玄 錫 泰

玄 錫 泰 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054336
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330989
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、素子の段差を最小化すると共に、しきい値電圧動作を効率的に実施することができるフラッシュEEPROMセル及びその製造方法に関するものである。【解決手段】 本発明によるフラッシュEEPROMセルにおいてはフローティングゲートの両側を第1コントロールゲート及び第2コントロールゲートが夫々覆うように形成すると同時に互いに離隔された第1コントロールゲートと第2コントロールゲートをフローティングゲートを中心として対称となる構造に形成する。
請求項（抜粋）：
フラッシュEEPROMセルにおいて、トンネル酸化膜によりシリコン基板と電気的に絶縁されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートを含む全体構造上部に形成された誘電体膜と、前記フローティングゲートの両側の一部を各々含み、互いに離隔された状態で前記誘電体膜上部に形成された第1及び第2コントロールゲートと、前記フローティングゲート両側下部の前記シリコン基板に各々形成されたソース及びドレーン領域とによりなることを特徴とするフラッシュEEPROMセル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM