特許

J-GLOBAL ID：200903073369375108

半導体ウェーハ研磨装置

発明者： 稲葉 高男 ,  小栗 正明 ,  酒井 謙児
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183324
公開番号（公開出願番号）：特開平10-029153
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】研磨圧力を精密に制御することができ、半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることができるとともに、半導体ウェーハと研磨体とを高度に平行に保つことができる、半導体ウェーハ研磨装置を提供する。【解決手段】ウェーハ保持盤52を、支持枠体46に遊挿し、研磨布16に対して揺動自在かつ垂直方向及び水平方向に移動自在に支持する。そして、ウェーハ保持盤52と支持枠体46との間に、空気室22を形成する。したがって、空気室22の内圧を制御することで、ウェーハ保持盤52にかかる力、すなわち研磨圧力を制御することができる。また、ウェーハ保持盤52の上面全域に均一に加圧できるので、半導体ウェーハ12の面内全域に均一に研磨圧力をかけることができる。さらに、研磨布16の傾きが変動しても、ウェーハ保持盤52はそれに追従して傾くので、半導体ウェーハ12と研磨布16とは平行に保たれる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハと研磨体とを押し付けながら相対運動させて、半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハ研磨装置において、前記半導体ウェーハを保持するウェーハ保持盤を、支持枠体に遊挿し、前記ウェーハ保持盤と前記支持枠体との間に、内圧を自在に制御可能である圧力室を介在させ、この圧力室の内圧を制御することによって、前記半導体ウェーハと前記研磨体との間の押し付け力を制御するようにしたことを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 37/00 B ,  B24B 1/00 A ,  H01L 21/304 321 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240350   出願人：株式会社日立製作所