特許

J-GLOBAL ID：200903073372882045

プラズマ処理方法

発明者： 柳 義弘 ,  渡辺 衛 ,  鈴木 正樹 ,  中山 一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348388
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174000
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板のたわみによる局所的なストレスを軽減し、より大型な基板に対応できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 立体的な形状のクランプで基板を押さえつける下部電極の基板拘束部のたわみ形状を、少なくとも基板より大きな模擬基板を平面上にて押さえつけ、所定の等分布圧力時のたわみ量をその形状とし、基板冷却面のたわみ形状を、模擬基板の大きさを平面上で押さえつけ、所定の等分布圧力時のたわみ量をその形状とした基板載置面を有する凸型下部電極を持つ。

請求項（抜粋）：

真空室と、上記真空室を排気する真空排気装置と、上記真空室内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置と、少なくとも一対の電極と、上記一対の電極のうちの上記真空室内に配置された一方の電極である基板支持側電極に被処理基板を押し付ける基板クランプ装置と、上記一対の電極のうちの少なくとも一方の電極へ高周波電力を供給して上記真空室内にプラズマを発生させる高周波電力供給装置と、上記基板支持側電極に押し付けられた上記被処理基板の裏面と上記基板支持側電極との間に伝熱ガスを所定圧力で充満させる伝熱ガス供給装置とを備えて、上記真空室内で発生したプラズマにより、上記被処理基板を処理するプラズマ処理方法において、少なくとも上記被処理基板より大きな模擬基板を想定し、上記模擬基板を上記基板支持側電極の被処理基板載置面上にて所定の等分布圧力で押さえつけたときのたわみ曲面形状を上記基板支持側電極の上記被処理基板載置面の曲面形状とした状態で、上記被処理基板の外周の基板拘束面を上記基板支持側電極のたわみ形状に沿った立体的な上記基板クランプ装置で押さえつけ、その後、上記被処理基板の裏面と上記基板支持側電極との間に充満する上記伝熱ガスの圧力をほぼ上記所定圧力またはそれ以下としたことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205

Fターム (21件)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045DP04 ,  5F045EM03 ,  5F045EM07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-227438
  
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002181   出願人：株式会社日立製作所
• ガス伝熱プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124815   出願人：松下電器産業株式会社