特許

J-GLOBAL ID：200903073394822321

多孔質基体上に成膜された膜の欠陥修復方法並びに膜の欠陥が修復された膜分離体及びガス分離体

発明者： 小林 伸行
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100884
公開番号（公開出願番号）：特開2003-290636
出願日： 2002年04月03日
公開日（公表日）： 2003年10月14日
要約：

【要約】【課題】 多孔質基体上に成膜された膜に生じた欠陥を、多くの手間や長い時間をかけることなく簡易に修復できる方法と、当該方法により膜の欠陥が修復された膜分離体及びガス分離体を提供する。【解決手段】 多孔質基体5上に成膜された膜1に生じた欠陥を修復する方法である。膜1の表面を乾燥により固化する結合剤成分を含有する溶液15に浸漬し、多孔質基体5の裏面側から真空吸引することで、膜1の欠陥部分から溶液15を欠陥部分下部の多孔質基体5表面に流入させ、多孔質基体5表面での圧力損失の増大に伴う流速の減少と、前記真空吸引に伴う乾燥による粘性の増大とにより、溶液15中の結合剤成分を多孔質基体5表層部分で固化させて、欠陥部分下部の多孔質基体5のみを気密とし、欠陥部分を塞栓する。

請求項（抜粋）：

多孔質基体上に成膜された膜に生じた欠陥を修復する方法であって、当該膜の表面を乾燥により固化する結合剤成分を含有する溶液に浸漬し、前記多孔質基体の裏面側から真空吸引することで、膜の欠陥部分から前記溶液を欠陥部分下部の多孔質基体表面に流入させ、当該多孔質基体表面での圧力損失の増大に伴う流速の減少と、前記真空吸引に伴う乾燥による粘性の増大とにより、前記溶液中の結合剤成分を多孔質基体表層部分で固化させて、前記欠陥部分下部の多孔質基体のみを気密とし、前記欠陥部分を塞栓することを特徴とする多孔質基体上に成膜された膜の欠陥修復方法。

IPC (5件)：

B01D 65/10 ,  B01D 53/22 ,  B01D 63/06 ,  B01D 69/10 ,  B01D 71/02 500

FI (5件)：

B01D 65/10 ,  B01D 53/22 ,  B01D 63/06 ,  B01D 69/10 ,  B01D 71/02 500

Fターム (9件)：

4D006GA41 ,  4D006HA28 ,  4D006LA03 ,  4D006LA04 ,  4D006MA10 ,  4D006MC02 ,  4D006MC02X ,  4D006PA01 ,  4D006PB66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-294908
  
• 界面オゾンアシスト方式化学蒸着を利用した膜の修正および気孔寸法の削減
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-504397   出願人：エクソンリサーチアンドエンジニアリングカンパニー
• 特公平2-024574