半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-057726
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256210
出願日： 1997年03月12日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】無機質基体上に形成された金属素材層やフォトレジストの側壁部に生成する堆積ポリマーを、金属素材を腐食することなしに除去する半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた超微細回路を有する半導体回路の製造方法。【解決手段】カルボン酸と水溶性有機溶剤と必要に応じさらに水とからなる半導体回路用洗浄組成物。

請求項（抜粋）：

カルボン酸と水溶性有機溶剤とからなることを特徴とする半導体回路用洗浄剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , C11D 7/26 , C11D 7/60

FI (3件)：

H01L 21/304 341 L , C11D 7/26 , C11D 7/60

引用特許：

審査官引用 (5件)

レジスト剥離工程用洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-354844 出願人：日東化学工業株式会社
半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-000520 出願人：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
特開平1-243433

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