特許
J-GLOBAL ID：200903073413468801
ウェルインウェル構造を有する半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238524
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094579
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面に比較的低濃度のウェルインウェル構造を形成することができ、プラス・マイナス両方の極性を含む数種類の電源電圧で動作可能で、しかも高耐圧仕様のトランジスタを形成することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 第1ウェル25が、半導体基板20の表面に埋め込み形成された埋め込み拡散層22と、この埋め込み拡散層22の上部に形成され、この埋め込み拡散層22と接続するように、かつ環状に形成された環状拡散層26とで構成してあり、第2ウェル28が、埋め込み拡散層22の上で、環状拡散層26で囲まれた領域に形成してある。第2ウェルおよび環状拡散層26は、半導体基板の表面に形成されたエピタキシャル層24に形成してある。
請求項（抜粋）：
半導体基板と反対極性の第1ウェルと、この第1ウェル中に形成され、この第1ウェルと反対極性の第2ウェルとが、半導体基板の表面に形成してあるウェルインウェル構造を有する半導体装置であって、上記第1ウェルが、半導体基板の表面に埋め込み形成された埋め込み拡散層と、この埋め込み拡散層の上部に形成され、この埋め込み拡散層と接続するように、かつ環状に形成された環状拡散層とで構成してあり、上記第2ウェルが、埋め込み拡散層の上で、上記環状拡散層で囲まれた領域に形成してあるウェルインウェル構造を有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/761
, H01L 27/08 331
