特許

J-GLOBAL ID：200903073426602175

シリコンウエハの作製方法

発明者： 登木口 克己 ,  関 孝義 ,  佐藤 忠 ,  伊藤 純也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339291
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156012
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】埋込み酸化膜中に発生するピンホールの量の低減。【解決手段】多層膜付きシリコンウエハに酸素イオン注入するとともにこの多層膜を注入途中で除去するようにする。【効果】シリコンウエハ表面の異物付着に伴う埋込み酸化膜内のピンホール発生量を減らせる。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハに酸素イオンをイオン注入し、イオン注入後にウエハを熱処理することによって埋込み酸化膜付きシリコンウエハを作製する際に、前記シリコンウエハのイオン注入される側の表面に、あらかじめシリコン酸化膜を含む多層膜を形成してから酸素イオン打込みを行うと共に、イオン注入工程の途中で多層膜を除去する工程を少なくとも1回実施することを特徴とするシリコンウエハの作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  C30B 29/06 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

C30B 29/06 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 N

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FB06 ,  4G077FD03 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-213990   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-132314   出願人：新日本製鐵株式会社