特許
J-GLOBAL ID：200903073460022498
薄膜太陽電池モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299525
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111026
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】非晶質シリコン系半導体層を形成した太陽電池素子の光劣化を低く抑えて高い出力を得る。【解決手段】非晶質シリコン系半導体層2を形成した太陽電池素子10の受光面側または非受光面側のいずれか一方もしくは双方に内圧が1torr以下の真空層(真空断熱層2)を設けて、高い断熱効果を確保することで、太陽光による太陽電池素子の温度上昇を高めてアニール効果を促進する。
請求項（抜粋）：
非晶質シリコン系半導体層を形成した太陽電池素子からなる薄膜太陽電池モジュールにおいて、太陽電池素子の受光面側または非受光面側のいずれか一方もしくは双方に真空層が形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 F
, H01L 31/04 R
5F051AA05
, 5F051BA17
, 5F051JA02
, 5F051JA05
, 5F051JA20
