単結晶炭化シリコン基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：山川政樹 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-090934
公開番号（公開出願番号）：特開2007-261900
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】炭化シリコンのみからなる自立型で、欠陥が少なく結晶性に優れた単結晶炭化シリコン基板を作製する。【解決手段】シリコン基板2と埋め込み絶縁膜3と表面シリコン膜4とからなるSOI基板1を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜4を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜5に変成し、単結晶炭化シリコン膜5の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜6を形成し、シリコン基板2と埋め込み絶縁膜3とを除去して、単結晶炭化シリコン膜5,6の積層構造を単結晶炭化シリコン基板とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板とシリコン基板の上に形成された埋め込み絶縁膜と埋め込み絶縁膜の上に形成された表面シリコン膜とからなるSOI基板を製造開始時に準備された材料として、このSOI基板の前記表面シリコン膜を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜に変成する炭化処理工程と、前記単結晶炭化シリコン膜の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜を形成する炭化シリコン成膜工程と、前記シリコン基板と前記埋め込み絶縁膜とを除去する除去工程とを有し、前記炭化処理工程で形成した単結晶炭化シリコン膜と前記炭化シリコン成膜工程で形成した単結晶炭化シリコン膜とからなる積層構造を単結晶炭化シリコン基板とすることを特徴とする単結晶炭化シリコン基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , H01L 21/20 , C23C 16/42

FI (3件)：

C30B29/36 A , H01L21/20 , C23C16/42

Fターム (40件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB05 , 4G077DB07 , 4G077EA02 , 4G077EA03 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TB04 , 4G077TC06 , 4G077TK11 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F152LL03 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN05 , 5F152LN22 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN15 , 5F152NN29 , 5F152NQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素薄膜製造方法並びに炭化珪素薄膜および積層基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-229679 出願人：ホーヤ株式会社

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