特許
J-GLOBAL ID：200903073472236051

パワー半導体モジュール

発明者：
梶原 玉男

梶原 玉男 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289749
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 パワー半導体モジュールに内蔵されている過電流保護回路の動作電流を容易に変更する。【解決手段】 電力変換部30bは、端子t2,t3を介して入力された直流電流を、制御部30aの制御に応じて、3相交流に変換して端子t4,t5,t6から出力する。制御部30aは、端子t1を介して入力された、例えば、PWM信号などに応じて、電力変換部30bを制御する。過電流保護部30dは、電力変換部30bの所定の位置に具備されている電流検出用抵抗30cの両端の電圧を検出し、電力変換部30bを流れる電流が、あるレベルを超過した場合には、制御部30aに信号を送る。その結果、制御部30aは、電力変換部30bを制御し、電力変換部30bに過大な電流が流れることを防止する。端子t7,t8は、電流検出用抵抗30cの両端に接続されており、抵抗の両端に生じている電圧を外部に取り出すことができる。
請求項（抜粋）：
制御信号が入力され、その制御信号に応じて電力変換を行うパワー半導体モジュールにおいて、電力変換を行う電力変換部と、前記制御信号に応じて前記電力変換部を制御する制御部と、前記電力変換部に具備された電流検出用の抵抗の両端に発生する電圧を検出し、前記電力変換部に過大な電流が流れた場合には、前記制御部を制御して前記電力変換部を保護する過電流保護部と、が同一のパッケージに封入されたパワー半導体モジュールであって、前記電流検出用の抵抗の両端がパッケージの外部に設けられている端子に接続されていることを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (4件)：
H02M 1/00 ,  H02H 7/122 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/5387
FI (5件)：
H02M 1/00 H ,  H02M 1/00 R ,  H02H 7/122 Z ,  H02M 7/48 M ,  H02M 7/5387 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)

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