特許
J-GLOBAL ID:200903073494241202

無電解プロセスにおける電気絶縁基板上への金属パターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-245473
公開番号(公開出願番号):特開平7-188936
出願日: 1994年10月11日
公開日(公表日): 1995年07月25日
要約:
【要約】【目的】 ホトレジスト層及び有機溶媒を用いることなく、比較的少ないプロセス工程から成る無電解プロセスで電気絶縁基板上に金属パターンを形成する。【構成】 基板を、水溶性ポリマーで安定化した水性Pdゾルと接触させることにより前処理し、これにより基板上に吸着Pd核を堆積させ、該基板からPd核が部分的に取り除かれるようなエネルギー量を1パルス当たりに有するパルスレーザー光ビームを用いて基板を部分的に照射し、無電解めっきを用いて基板上の未照射領域上に金属パターンを形成する。
請求項(抜粋):
基板を前処理し、次いで光線で部分的に照射し、その後基板を金属-塩水溶液と接触させ、これにより基板の未照射領域上に金属パターンを形成する無電解プロセスにおける電気絶縁基板上への金属パターンの製造にあたり、基板を、水溶性ポリマーで安定化した水性Pdゾルと接触させることにより前処理し、これにより基板上に吸着Pd核を堆積させ、該基板からPd核が部分的に取り除かれるようなエネルギー量を1パルス当たりに有するパルスレーザー光ビームを用いて基板を部分的に照射し、無電解めっきを用いて基板上の未照射領域上に金属パターンを形成することを特徴とする無電解プロセスにおける電気絶縁基板上への金属パターンの製造方法。
IPC (3件):
C23C 18/18 ,  C23C 18/20 ,  G02F 1/1335 500
引用特許:
審査官引用 (15件)
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