特許
J-GLOBAL ID：200903073499181267

半導体発光素子、およびその製造方法

発明者：
尺田 幸男

尺田 幸男 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 稔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192699
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031851
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 リードフレーム等に対するワイヤボンディングの個数を削減するとともに、半導体発光素子における実質的発光領域を増大させる。【解決手段】 透明性基板3の表面上にN型半導体層4、発光層5、およびP型半導体層6を形成し、かつ上記P型半導体層の表面にP側電極10が形成され、上記N型半導体層における露出表面部にN側電極9を形成して構成される素子本体2と、表面側に上記N側電極9と対向する補助N側電極層15および上記P側電極10と対向する補助P側電極層14を有するサブマウント部材11と、を備えるとともに、上記サブマウント部材11と上記素子本体2との双方の表面側を相互に対向させて配置し、かつ、上記補助N側電極層15と上記N側電極9との間、および上記補助P側電極層14と上記P側電極10との間がそれぞれ導通状態となるように、上記サブマウント部材11と上記素子本体2とを一体化させ、上記透明性基板3の裏面側から光が発せられるようにした。
請求項（抜粋）：
透明性基板の表面上にN型半導体層、発光層、およびP型半導体層を形成し、かつ上記P型半導体層の表面にP側電極が形成され、上記N型半導体層における露出表面部にN側電極を形成して構成される素子本体と、表面側に上記N側電極と対向する補助N側電極層および上記P側電極と対向する補助P側電極層を有するサブマウント部材と、を備えるとともに、上記サブマウント部材と上記素子本体との双方の表面側を相互に対向させて配置し、かつ、上記補助N側電極層と上記N側電極との間、および上記補助P側電極層と上記P側電極との間がそれぞれ導通状態となるように、上記サブマウント部材と上記素子本体とを一体化させ、上記透明性基板の裏面側から光が発せられるようにしたことを特徴とする、半導体発光素子。
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA17 ,  5F041DA25 ,  5F041DA29
引用特許：
審査官引用 (8件)
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