特許

J-GLOBAL ID：200903073499977070

薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置

発明者： 井上 聡 ,  湯田坂 一夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268288
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116990
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 製造工程数を増やすことなく放熱効率を高めた構造とし、TFTに流す電流をアップしても特性劣化や信頼性低下のないTFT、TFT回路、およびそれを駆動回路に用いたアクティブマトリクス基板を備える液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 基板の表面側においてゲート電極に対してゲート絶縁膜を介して対峙するチャネル領域、および該チャネル領域に接続するソース・ドレイン領域を備えるTFTと、前記ソース・ドレイン領域に電気的接続するソース・ドレイン配線層と、前記ゲート電極に電気的接続するゲート配線層とを有するTFTにおいて、該TFTの各構成部分のうち、導電膜または半導体膜から構成された少なくとも1つの構成部分には、該構成部分自身から拡張されて該構成部分からの放熱効率を高めるための放熱用拡張部が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板の表面側においてゲート電極に対してゲート絶縁膜を介して対峙するチャネル領域、および該チャネル領域に接続するソース・ドレイン領域を備える薄膜トランジスタと、前記ソース・ドレイン領域に電気的接続するソース・ドレイン配線層と、前記ゲート電極に電気的接続するゲート配線層とを有する薄膜トランジスタにおいて、該薄膜トランジスタの各構成部分のうち、導電膜または半導体膜から構成された少なくとも1つの構成部分には、該構成部分自身から拡張されて該構成部分での放熱効率を高める放熱用拡張部が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 617 K ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-071102   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭64-019751