特許

J-GLOBAL ID：200903073524918407

アセン化合物誘導体薄膜の製造方法

発明者： 南方 尚
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324376
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158719
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】本発明は、平坦性に優れ、欠陥のない高結晶性の有機半導体薄膜を提供すること、および、該薄膜を用いた電子特性の優れた有機半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、式(1)で示されるアセン化合物誘導体の蒸気を基板に蒸着させてなる結晶性アセン化合物誘導体有機半導体薄膜であり、該薄膜において式(1)の分子の長軸を基板面に垂直方向に配向されたことを特徴とするアセン化合物誘導体薄膜の製造方法である。本発明は、さらに該製造方法で得られたアセン化合物誘導体薄膜を用いた有機半導体素子を提供する。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

結晶性アセン化合物誘導体有機半導体薄膜の製造方法であって、アセン化合物が式(1)で示されるアセン化合物誘導体であり、該薄膜が該アセン化合物誘導体の蒸気を基板に蒸着させて形成されるものであり、該薄膜において式(1)の分子の長軸が基板面に垂直方向に配向されたことを特徴とするアセン化合物誘導体薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L51/00 ,  H01L21/331 ,  H01L29/47 ,  H01L29/73 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

FI (5件)：

H01L29/28 ,  H01L29/91 G ,  H01L29/48 D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/72

Fターム (55件)：

2G046AA01 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046DC14 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046FA01 ,  2G046FE00 ,  2G046FE03 ,  2G046FE13 ,  2G046FE15 ,  2G046FE27 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE44 ,  2G046FE48 ,  2G060AA01 ,  2G060AA05 ,  2G060AA07 ,  2G060AE10 ,  2G060AF20 ,  2G060BB04 ,  2G060JA01 ,  2G060JA06 ,  4M104AA10 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104HH12 ,  5F003BM10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 有機半導体ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-087131   出願人：パイオニア株式会社
• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264964   出願人：株式会社日立製作所
• コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-055997   出願人：株式会社日立製作所
• 置換ペンタセン半導体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-531543   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• A Reiterative Approach to 2,3-Disubstituted Naphthalenes and Anthracenes