パターン露光方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-302084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151285
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】荷電粒子ビームを用いて図形を露光する場合に、ビームの照射により温度が上昇しレジスト特性が悪化し、図形の形状が悪くなることを防止する。【構成】ビームの偏向範囲内のフィールド1を複数のサブフィールド3に分割設定し、各サブフィールド3内の図形パターン4を複数の部分A,B,Cに分割設定しかつその露光順位を指定し、第1のサブフィールド内の図形パターンの第1番目の部分を露光した後に他のサブフィールド内の図形パターンの部分を露光し、しかる後に前記第1のサブフィールドに戻ってそこの図形パターンの第2番目の部分を露光し、この操作を繰辺すことにより各サブフィールド内の図形パターンの所定の全ての部分を露光するパターン露光方法である。

請求項（抜粋）：

表面にレジスト膜を有する試料上に所望の図形パターンを形成するために荷電粒子ビームによる露光を行なうパターン露光方法において、ビームの偏向範囲内のフィールドを複数のサブフィールドに分割設定し、各サブフィールド内の図形パターンを複数の部分に分割設定しかつその露光順位を指定し、第1のサブフィールド内の図形パターンの第1番目の部分を露光した後に他のサブフィールド内の図形パターンの部分を露光し、しかる後に前記第1のサブフィールドに戻ってそこの図形パターンの第2番目の部分を露光し、この操作を繰辺すことにより各サブフィールド内の図形パターンの所定の全ての部分を露光することを特徴とするパターン露光方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-027714
電子ビーム描画方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-059923 出願人：富士通株式会社

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