特許

J-GLOBAL ID：200903073564674144

高圧処理装置

発明者： 松本 賢治 ,  小宮 隆行 ,  近藤 英一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  近藤 英一
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-068107
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250589
出願日： 2006年03月13日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を耐圧容器内に供給して基板に対して成膜を行うにあたり、耐圧容器の熱伝導率が小さいことに基づく、ステージヒータの温度安定性の課題を解決し、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる技術を提供する。【解決手段】装置本体2の上蓋21と耐圧枠材20とウエハWを載置する載置台3とにより、内部に成膜処理空間Fが形成された耐圧容器を構成する。この耐圧容器には、ウエハWがその上に載置され、発熱体が設けられたステージヒータ4と、このステージヒータ4の下方側に設けられた、前記耐圧容器の材質の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する断熱層51と、この断熱層51と耐圧容器の底面部をなす載置台本体31との間に介在するように、耐圧容器の外部との間で熱の授受が行われる温度調整部が設けられた温度調整層53とを設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を耐圧容器内に供給して基板に対して成膜を行う高圧処理装置において、 前記基板がその上に載置され、発熱体が設けられたステージヒータと、 このステージヒータの下方側に設けられ、前記耐圧容器の材質の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する断熱層と、 この断熱層と前記耐圧容器の底面部との間に介在して設けられ、耐圧容器の外部との間で熱の授受が行われる温度調整部が設けられた温度調整層と、を備えたことを特徴とする高圧処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/452

FI (2件)：

H01L21/285 C ,  C23C16/452

Fターム (9件)：

4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 成膜装置および成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-430575   出願人：東京エレクトロン株式会社, 近藤英一