特許
J-GLOBAL ID：200903073565873558

化合物半導体単結晶をpBN坩堝から抜き出す方法とそのための補強枠

発明者：
大塚 拓次

大塚 拓次 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233426
公開番号（公開出願番号）：特開2003-048797
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体単結晶をpBN坩堝から抜き出す際にその坩堝の破損を防止し得る補強枠を提供する。【解決手段】 種部1aと、結晶成長部1bと、開口部1cと、その種部から結晶成長部につながる肩部1dとを有するpBN坩堝1から化合物半導体単結晶2を抜き出す際に用いるための補強枠3は、結晶成長部1bの外周に接して坩堝1を補強するための坩堝補強部3a、3bと、坩堝の開口部1cを介して化合物半導体単結晶2の成長終端面に接してその単結晶を支持する単結晶支持部3cとを含んでいる。
請求項（抜粋）：
種部と、結晶成長部と、開口部と、その種部から結晶成長部につながる肩部とを有するpBN坩堝から化合物半導体単結晶を抜き出す際に用いるための補強枠であって、前記結晶成長部の外周に接して前記坩堝を補強するための坩堝補強部と、前記坩堝の開口部を介して前記化合物半導体単結晶の成長終端面に接してその単結晶を支持する単結晶支持部とを含んでいることを特徴とする補強枠。
IPC (2件)：
C30B 11/00 ,  C30B 29/40
FI (2件)：
C30B 11/00 Z ,  C30B 29/40 Z
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BE41 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077EG30 ,  4G077FJ08 ,  4G077HA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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