特許

J-GLOBAL ID：200903073576721172

集積化された音響トランスミッタと音響レシーバ、およびこれらの製作方法

発明者： ジャウエン・エルヴェ ,  スコットニッキ・トーマス ,  ジュルクザック・マルゴルサタ
出願人/特許権者： エスティマイクロエレクトロニクス エスエー
代理人 (1件)： 岡田 次生 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-543984
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520466
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：

【要約】本発明は、ハウジングの穴に対向して配置されたいくつかのトランスデューサを備えるトランスミッタおよびレシーバに関する。それぞれのトランスデューサは、電流が流れるよう設計された変形可能な膜(MB)を含み、該膜は、また、ローレンツ力または音響圧力の作用下で該膜が変形することを可能にするキャビティによって基板区域(ZSB、ZSB1)から分離されるよう設計されている。

請求項（抜粋）：

電流が流れるよう意図された変形可能な半導体膜(MB)を備え、該半導体膜は、音響圧力またはローレンツ力の作用により該膜が変形することを可能にするキャビティ(CV)によって半導体基板の1つの領域から分離される、集積化された半導体音響トランスデューサ。

IPC (6件)：

H04R 9/00 330 ,  G01S 7/521 ,  H01L 23/28 ,  H04R 7/00 330 ,  H04R 19/00 330 ,  H04R 31/00 330

FI (6件)：

H04R 9/00 330 ,  H01L 23/28 J ,  H04R 7/00 330 ,  H04R 19/00 330 ,  H04R 31/00 330 ,  G01S 7/52 A

Fターム (16件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA06 ,  4M109GA10 ,  5D019AA25 ,  5D019AA26 ,  5D019DD01 ,  5D019DD03 ,  5D019EE06 ,  5D019HH01 ,  5J083AC31 ,  5J083CA01 ,  5J083CA13 ,  5J083CA35 ,  5J083CB21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-239707   出願人：キヤノン株式会社
• 表面-マイクロ技術による超音波変換器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-519903   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト