ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177729
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012444
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】アルカリ現像が可能なナノメートル級加工に適したレジスト材料を提供し、それを用いたパターン形成プロセス及びエッチングプロセスを提供する。【解決手段】本発明のナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法は、分子サイズが、ナノメートルオーダであるナノスケールレジスト材料を用いて、半導体基板上にレジスト膜を形成するステップと、高エネルギー線を前記レジスト膜の第1の領域を除く第2の領域に照射して、潜像を形成するステップと、前記レジスト膜を有する基板に対して現像処理を行い、前記第1の領域と前記第2の領域の一方を除き、他方を残すステップとから成る事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

分子サイズが、ナノメートルオーダであるナノスケールレジスト材料を用いて、半導体基板上にレジスト膜を形成するステップと、高エネルギー線を前記レジスト膜の第1の領域を除く第2の領域に照射して、潜像を形成するステップと、前記レジスト膜を有する基板に対して現像処理を行い、前記第1の領域と前記第2の領域の一方を除き、他方を残すステップとから成る事を特徴とするナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/039 601

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R , G03F 7/039 601

Fターム (9件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC03 , 2H025BJ10 , 2H025CB17 , 2H025CB45 , 2H025DA08 , 2H025DA18 , 2H025FA41

引用特許：

審査官引用 (1件)

超微細レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292681 出願人：日本電気株式会社

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