特許
J-GLOBAL ID：200903010745505156

超微細レジストパターン形成方法

発明者：
眞子 祥子

眞子 祥子 について

, 
藤田 淳一

藤田 淳一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292681
公開番号（公開出願番号）：特開平10-133374
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 超微細のレジストパターンが形成でき、半導体デバイスの高集化が図れ、半導体デバイスが簡単なプロセスで形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 荷電粒子、中性粒子線露光によるポリスチレンレジストパターンを形成する際に分子量9000未満の低分子量で、分子量分散度が1に近い単分散ポリスチレンを使用することにより超微細レジストパターンを形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
荷電粒子、中性粒子線露光によるポリスチレンレジストパターンを形成する際に、分子量9000未満の低分子量で、分子量分散度が1に近い単分散ポリスチレンを使用することにより超微細レジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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