特許

J-GLOBAL ID：200903073594338122

不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクの製造方法

発明者： 小林 英雄
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038293
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250380
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 残渣を残さずに基板周縁部の不要な膜を除去する不要膜除去方法及びその装置、並びに、この不要膜除去方法を用いた位相シフトマスクブランクの製造方法を提供する。【構成】 表面周縁部に不要な盛り上がり部12が形成された位相シフト膜2を有する透明基板1を略水平にスピンチャック4に保持して回転させながら該基板1の表面周縁部に、まず、第1の噴射ノズル51により溶剤6を噴射させて上記盛り上がり部12を溶解して飛散させ、次に上記第1噴射ノズル51の位置よりも僅かに外周よりの位置に設けられた第2噴射ノズル52によって溶剤を噴射させて基板1の周縁部に残存した膜残渣を洗い流して除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面周縁部に不要な膜が形成された基板を略水平に保持して回転させながら該基板表面周縁部に前記膜が溶解可能な溶剤を供給して前記不要な膜を溶解して飛散させることにより該不要な膜を除去する不要膜除去方法において、前記溶剤の供給を、まず、前記基板の上方から前記基板の周縁部の所望の位置に行って前記基板表面周縁部に形成された不要な膜を溶解して飛散させ、次に前記所望の位置よりも僅かに外周よりの位置に行って前記基板周縁部に残存した膜残渣を洗い流して除去することを特徴とした不要膜除去方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 361 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-120024
  
• 半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-276506   出願人：ソニー株式会社
• 基板端縁洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019587   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 特開平1-120024