特許

J-GLOBAL ID：200903073618683870

有機膜のエッチング方法

発明者： 佐々木 智幸 ,  二河 秀夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109083
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298183
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 ホトレジストに対する有機膜のエッチング速度の選択比を高くしてエッチング精度を向上することができる有機膜のエッチング方法法を提供する。【解決手段】 半導体基板11の表面上に形成された有機膜のアクリル樹脂13にホトレジスト14をパターン形成し、硫黄または水素を含むガスでアクリル樹脂13を加水分解することによりドライエッチングする。このように、硫黄または水素を含むガスでアクリル樹脂13をドライエッチングすることにより、アクリル樹脂13に硫黄または水素を含むガスが反応して加水分解し、一方、ホトレジスト14は加水分解反応が起こり難いため、ホトレジスト14に比べアクリル樹脂13を選択的にエッチングすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に形成された有機膜にホトレジストをパターン形成し、硫黄を含むガスで前記有機膜を加水分解することによりドライエッチングすることを特徴とする有機膜のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307325   出願人：ソニー株式会社
• パターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-157215   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-277320   出願人：日本電気株式会社