特許

J-GLOBAL ID：200903073619916193

半導体装置の層間絶縁膜形成方法

発明者： チョ ギョン スゥ
出願人/特許権者： ヒヨンデ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニーリミテッド
代理人 (1件)： 服部 正美 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074090
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は優れた接着力と均一なステップカバレージを有するのみならず、水分浸透によるボイドの生成を防止することのできる半導体装置層間絶縁膜形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上部に金属配線を形成した後、金属配線が形成された半導体基板を化学的に気相蒸着のための炉で所定濃度のTEOSとオゾンを供給して金属配線の間を充分に埋め立てるほど第1絶縁膜を形成する。その後、第1絶縁膜の形成のための同一反応炉でTEOSの濃度のみ異ならして第1絶縁膜の上部に所定厚さの第2絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上部に金属配線を形成する工程;金属配線が形成されたウェーハを化学的気相蒸着のための炉内に入れ、所定濃度のオゾンとTEOSとを供給して上記金属配線の間を充分に埋め立てるほど第1絶縁膜を形成する工程;上記第1絶縁膜を形成するための同一反応炉でTEOSの供給流量だけを異ならせて上記第1絶縁膜の上部に所定厚さの第2絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/95 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-051651   出願人：川崎製鉄株式会社