バンプ電極を有する半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222847
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053100
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】バンプ電極下の金属配線膜および下層膜に凹凸段差を形成し、バンプ電極と半導体装置基板との接触面積を増大させ、機械的強度の向上を図る。【解決手段】バンプ電極下の金属配線膜および下層膜を格子状にパターニングし、バンプ電極下に凹凸段差を形成する。凹凸段差を形成することで、バンプ電極と半導体基板間の接触面積が増大し、機械的強度の向上が図れる。下層膜としては、ポリシリコン膜、絶縁膜、シリコンチッ化膜などの保護膜、Al-Si-Cu、Al-Si、Al-Cu、Cuなどを用いる。なお、凹凸段差を形成する部分は、バンプ下の保護膜開口部以外の領域とする。

請求項（抜粋）：