光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-037909
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303263
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】光電変換膜積層型固体撮像素子の縦配線の製造を容易に行う。【解決手段】共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が絶縁膜を介して半導体基板1の上に複数積層される光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法において、半導体基板1の表面部に形成されている信号読出回路に接続される縦配線37,40であって下層の光電変換膜及び該光電変換膜を挟む共通電極膜並びに絶縁膜を貫通し上層の光電変換膜を挟む画素電極膜に接続される縦配線37,40を先に製造して絶縁材65で被覆し、その後に、下層の光電変換膜、該光電変換膜を挟む共通電極膜、絶縁膜を積層する。これにより、断線無く縦配線を製造でき、光電変換膜等の積層も容易となる。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が半導体基板の上に積層される光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板の表面部に形成されている信号読出回路に接続され対応の前記画素電極膜の位置まで先端部が達する縦配線を形成し、次に該縦配線が埋設される層の構成物を形成し、その後、該層の表面に前記先端部が接続される前記画素電極膜を形成することを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L27/146 , H01L31/10

FI (2件)：

H01L27/14 E , H01L31/10 G

Fターム (31件)：

4M118AA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118CA02 , 4M118CA03 , 4M118CA15 , 4M118CA27 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118EA18 , 4M118FA06 , 4M118GB02 , 4M118GB07 , 4M118GC09 , 4M118GC14 , 5F049MA02 , 5F049MA15 , 5F049MB02 , 5F049NA18 , 5F049NB05 , 5F049PA01 , 5F049PA14 , 5F049QA09 , 5F049SE02 , 5F049SE03 , 5F049SE04 , 5F049SS03 , 5F049SZ07 , 5F049WA03

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭58-103165号公報
特許第3405099号公報
イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-271555 出願人：日本放送協会

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