特許

J-GLOBAL ID：200903073671699648

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置

発明者： 上 口 裕 三 ,  湯 浅 裕 美 ,  永 田 友 彦 ,  與 田 博 明 ,  鴻 井 克 彦 ,  吉 川 将 寿 ,  岩 崎 仁 志 ,  佐 橋 政 司 ,  高 岸 雅 幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322041
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208744
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層、フリー層あるいは非磁性中間層の少なくともいずれかに抵抗調整層を設ける。抵抗調整層は、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物、あるいはホウ化物を主成分とし、連続膜でもピンホールが設けられていても良い。スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

磁化の方向が実質的に一方に固着された強磁性膜を有する磁化固着層と、磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性膜を有する磁化自由層と、前記磁化自由層と前記磁化固着層との間に設けられた非磁性中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して垂直方向に通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、酸化物、あるいは窒化物、あるいはフッ化物、あるいは炭化物、あるいはホウ化物を主成分とする抵抗調整層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R

Fターム (11件)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-161017   出願人：ソニー株式会社
• CPP構造スピンバルブヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-349106   出願人：富士通株式会社