特許
J-GLOBAL ID：200903075999114429

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ

発明者：
細見 政功

細見 政功 について

, 
松園 淳史

松園 淳史 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 角田 芳末 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161017
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353535
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリにおいて、磁気抵抗変化量を高める。【解決手段】 少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層4と、固定層2と、この固定層の磁化を固定する反強磁性層1と、自由層4と固定層2との間に介在される非磁性層3とが積層された積層構造部10を有し、この積層構造部10に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする構成とし、その積層構造部に、センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層Sが配置された構成として、素子抵抗の増加を図り、磁気抵抗変化量を高める。
請求項（抜粋）：
少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、上記積層構造部に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (6件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R
Fターム (34件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA18 ,  5D034BA21 ,  5D034BB02 ,  5D034BB08 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083PR00 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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