積層セラミック電子部品の外部電極形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹下和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233105
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060532
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】極小の積層セラミックコンデンサ等にも適用可能で、耐ヒートサイクル性に優れて半田付け性の良好な信頼性の高い外部電極を形成する。【解決手段】内部電極と接続させて積層セラミック素体の両端に被着するAgまたはCuの下地電極層と、該下地電極層に被着する中間のNiメッキ層と、該Niメッキ層に被着する最外層のSnまたはSn/Pb,Sn/Cu,Sn/Bi,Sn/Znのうちいずれか一種のメッキ層とから外部電極を形成するもので、少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物を含有するNiメッキ液により中間のNiメッキ層を形成する。

請求項（抜粋）：

内部電極と接続させて積層セラミック素体の両端に被着するAgまたはCuの下地電極層と、該下地電極層に被着する中間のNiメッキ層と、該Niメッキ層に被着する最外層のSnまたはSn/Pb,Sn/Cu,Sn/Bi,Sn/Znのうちいずれか一種のメッキ層とから外部電極を形成する積層セラミック電子部品の外部電極形成方法において、少なくとも一種以上のスルホン酸系化合物を含有するNiメッキ液により中間のNiメッキ層を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品の外部電極形成方法。

IPC (2件)：

H01G 4/30 311 , H01G 4/12 364

FI (2件)：

H01G 4/30 311 D , H01G 4/12 364

Fターム (22件)：

5E001AA00 , 5E001AB03 , 5E001AC10 , 5E001AH07 , 5E001AJ03 , 5E082AA01 , 5E082AB03 , 5E082BC23 , 5E082EE04 , 5E082EE11 , 5E082EE23 , 5E082EE35 , 5E082FF05 , 5E082FG06 , 5E082FG26 , 5E082GG10 , 5E082GG11 , 5E082GG28 , 5E082JJ03 , 5E082JJ12 , 5E082JJ23 , 5E082PP03

引用特許：

審査官引用 (1件)

積層セラミックコンデンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-344213 出願人：京セラ株式会社

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