特許

J-GLOBAL ID：200903073682614601

半導体発光素子の製造方法

発明者： 梅田 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317516
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124489
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 チップ分割時の材料ロスを減らし、原価低減を図る。【解決手段】 ウエハの厚みをdとした時、基板の裏面の、ウエハの表面の所定の位置に対しd×tanθで表わされる距離だけ[01-1]方向に離れた位置にけがき傷23を入れる工程と、ウエハの表面から曲げ応力を加えて、ウエハを複数個のチップに分割する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(100)から[01-1]方向にθ°傾いた面を主表面とする閃亜鉛鉱型結晶基板上に少なくとも発光層を形成したウエハを、複数個のチップに分割する半導体発光素子の製造方法おいて、前記ウエハの厚みをdとした時、前記基板の裏面の、前記ウエハの表面の所定の位置に対しd×tanθで表わされる距離だけ[01-1]方向に離れた位置にけがき傷を入れる工程と、前記ウエハの表面から曲げ応力を加えて、前記ウエハを複数個のチップに分割する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/78 U ,  H01L 21/78 S

Fターム (13件)：

5F041AA31 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92

引用特許：

審査官引用 (4件)

• りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハおよび発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-311702   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体基板の分割方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-092773   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開昭50-039044
  
• 特開昭58-159349