特許
J-GLOBAL ID：200903014205363714
りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハおよび発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-311702
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154643
出願日： 1996年11月22日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【目的】 表示用発光素子として需要の大きいGaAsPエピタキシャルウエハにおいて、屋内外のマトリックス式の表示装置などの需要に対応すべく、従来のエピタキシャルウエハに対して、光出力を35%以上も向上させLEDの応用範囲を格段に広げる。簡便な構成で、エピタキシャル成長工程の大幅な変更もなく、確実に光出力の向上を実現する。【解決手段】 せん亜鉛鉱型の結晶構造を有する単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶GaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>(0.45<x<1)エピタキシャル層を成長してなるエピタキシャルウエハにおいて、該単結晶基板表面が、(1)(100)面から、[001]方向 から[011]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[010]方向 から[011]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[00-1]方向から[0-1-1]方向へ8〜37 ゚ずれた方向もしくは[0-10]方向から[0-1-1]方向へ8〜37 ゚ずれた方向、8〜37 ゚ずれた方向へ6 ゚以上16 ゚以下傾いている面またはそれと結晶学的に等価な面であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
せん亜鉛鉱型の結晶構造を有する単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶GaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>(0.45<x<1)エピタキシャル層を成長してなるエピタキシャルウエハにおいて、該単結晶基板表面の結晶学的な面方位が、(1)(100)面から、[001]方向 から[011]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[010]方向 から[011]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[00-1]方向から[0-1-1]方向へ8〜37 ゚ずれた方向もしくは[0-10]方向から[0-1-1]方向へ8〜37 ゚ずれた方向、(2)(-100)面から、[001]方向 から[0-11]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[0-10]方向から[0-11]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[00-1]方向から[01-1]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向もしくは[010] 方向から[01-1]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、(3)(010)面から、[100]方向 から[101]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[001]方向 から[101]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[-100]方向から[-10-1]方向へ8〜37 ゚ずれた方向もしくは[00-1]方向から[-10-1]方向へ8〜37 ゚ずれた方向、(4)(0-10)面から、[100]方向 から[10-1]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[00-1]方向から[10-1]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[-100]方向から[-101]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向もしくは[001]方向 から[-101]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、(5)(001)面から、[010] 方向から[110]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[100] 方向から[110]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[0-10]方向から[-1-10]方向へ8〜37 ゚ずれた方向もしくは[-100]方向から[-1-10]方向へ8〜37 ゚ずれた方向または(6)(00-1)面から、[010]方向 から[-110]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[-100]方向から[-110]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向、[0-10]方向から[1-10]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向もしくは[100]方向 から[1-10]方向へ 8〜37 ゚ずれた方向へ6 ゚以上16 ゚以下傾いていることを特徴とするりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 33/00 B
