特許
J-GLOBAL ID：200903073706537395
イオン注入方法及びイオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207308
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038655
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 立体形状の基材であっても、容易且つ効率的に不純物混入なくイオン注入をする。【解決手段】 真空容器1には、注入物質を含むプラズマ発生用ガスが導入されている。真空容器1に連通した金属管5には、導波管3によりマイクロ波13が伝送され、金属管5内にプラズマ14が発生する。このプラズマ14は、コイル6から発生した磁場15により真空容器1側に移送されると共に、永久磁石7により真空容器1の奥にまで引き込まれるため、真空容器1内において大面積で且つ均一なシート状のプラズマ14となる。このプラズマ14中に基材10-1〜10-3を保持しつつ、パルス高電圧電源11により基材10-1〜10-3にパルス状高電圧バイアス電圧を印加することにより、プラズマ14中のイオンを基材10-1〜10-3に注入する。
請求項（抜粋）：
真空容器内に注入物質を含むプラズマ発生用のガスを導入し、前記真空容器に連通している金属管にマイクロ波を伝送することにより、前記金属管内にプラズマを発生させ、コイルから発生した磁場により、金属管内に発生したプラズマを前記真空容器側に移送すると共に、真空容器内に配置した永久磁石により前記プラズマを真空容器の奥にまで引き込むことにより、前記真空容器内に、大面積でかつ均一なシート状のプラズマを発生させ、前記真空容器内の前記プラズマ中に基材を保持しつつ、この基材に、前記真空容器の電位に対して負極性のパルス状高電圧バイアス電圧を印加して、前記プラズマ中のイオンを前記基材に注入することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3件)：
C23C 14/22
, B23P 9/00
, H05H 1/46
C23C 14/22 D
, B23P 9/00
, H05H 1/46 B
4K029BC02
, 4K029BD04
, 4K029BD05
, 4K029CA10
, 4K029CA13
, 4K029EA05
