特許
J-GLOBAL ID：200903073711133286
可変型超伝導遅延線
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263758
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125415
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【構成】 裏面に超伝導グランド3を有する低誘電損失体5の基板上に、超伝導ストリップ1を形成する。DCブロックキャパシター4、RF入出力端子7、インピーダンス整合器8を設ける。ストリップ1の下とその近傍の低誘電損失体5を強誘電体2に代える。ストリップ1とグランド3間に直流電圧を印加して強誘電体2の誘電率を変化させ位相制御する。電流が集中するストリップ1の材料に超伝導体を使うので電極での高周波損失を非常に低くできる。また導電体に挟まれた中間層の強誘電体の誘電率を変化させることで位相制御しており、超伝導体の物性を利用していない。そのため素子特性が温度によって変化する、高入力パワーで位相変化が起きない等の問題がなく、位相シフト量が大きい。【効果】 低挿入損失でしかも位相シフト量が大きい。
請求項（抜粋）：
超伝導体/強誘電体/超伝導体構造あるいは超伝導体/強誘電体/常伝導金属構造において少なくとも電流が集中するストリップ部の電極材料として超伝導体を用いる超伝導遅延線において、強誘電体の誘電率を電界により変化させることにより、位相制御を行うことを特徴とする可変型超伝導遅延線。
IPC (3件)：
H01P 9/00 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
, H01P 1/18 ZAA
