特許
J-GLOBAL ID：200903073732457170
微細パターン形成装置および半導体デバイス製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西山 恵三
, 内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-081962
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268675
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 ウエハの周辺部分のショットにおいても均一な押し付け圧力を与え、高精度な転写パターンができるナノインプリント装置を提案する。【解決手段】 モールドとウエハの対向していない部分(ウエハ外周部)に同一高さの面一板を設けることでモールドパターン面の全面を加圧する、もしくはモールドへの加圧重心が実際にモールドとウエハが対向している領域の内部に位置するよう加圧制御することで均一な押し付けを達成する。後者の具体的な手段として、複数の加圧点を設け加圧力を独立に制御する、もしくは加圧重心の移動手段を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
微細凹凸パターンをその表面に有した原盤を保持する原盤保持機構と、原盤のパターンを転写する被加工基板を保持および移動する被加工基板ステージと、該原盤と該被加工基板を対向させ両者を相対的に押し付ける加圧機構を有し、加圧機構を作動させ該被加工基板表面にパターン転写をなう微細パターン形成装置において、該原盤と該被加工基板とが対向している領域のほぼ中心に加圧の重心がくるように押し付け制御する押し付け制御手段を有することを特徴とする微細パターン形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, G03F7/20 521
