特許

J-GLOBAL ID：200903073735375701

帯電防止膜の製造方法

発明者： 美濃 規央 ,  曽我 眞守 ,  小川 一文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-109875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-179026
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年07月20日
要約：

【要約】【目的】 化学吸着法を用いて導電基を化学吸着膜の分子内に導入することにより、きわめて薄いナノメータレベルの膜厚の帯電防止膜を基体表面に、基体本来の機能を損なうことなく形成する。【構成】 フィルム基材21表面の水酸基にたとえばSiCl4 を接触させ、加水分解することによりシロキサン単分子膜23を得る。次にたとえばHSi(CH3 )2 (CH2 )19SiCl3 を含む非水溶液を接触させて化学吸着単分子膜24を形成する。次にアルカリ処理または酸化処理により単分子膜24の末端を水酸基25などの帯電防止基に変性する。

請求項（抜粋）：

基材表面に基材と化学結合させて帯電防止膜を製造する方法であって、まず一端にクロルシリル基を有する化学吸着剤を非水系有機溶媒に溶解して化学吸着液を調製し、前記化学吸着液を表面が親水性の基材表面に接触させ、化学吸着単分子膜を基材表面に形成する工程と、前記形成された化学吸着単分子膜の末端基にアルカリ処理、または酸化処理によって帯電防止官能基を付与する工程を含むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法。

IPC (6件)：

C08J 7/04 ,  B32B 27/00 101 ,  C08J 7/12 ,  C09K 3/16 109 ,  H05F 1/02 ,  B32B 9/00