半導体装置および半導体モジュール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307029
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【目的】積み重ねて使用することが可能な半導体装置および、この半導体装置を用いた半導体モジュールを提供する。【構成】主表面に複数の外部端子104を有する集積回路を形成された半導体チップ101と、導電層110およびこの導電層110を、絶縁層109、113で挟む構造からなるテープ108とから構成される。また、半導体チップ101の主表面は、パッシベーション膜105で覆われている。テープ108は、半導体チップ101の主表面から裏面まで延在し、かつ半導体チップ101の主表面側および裏面側の夫々で半導体チップ101と固着されている。さらに、導電層110は、複数の外部端子104と電気的に接続され、かつ、半導体チップ101の主表面および裏面の夫々に位置する絶縁層113に形成された開口部103aおよび103bから露出されている。

請求項（抜粋）：

主表面に複数の外部端子を有する集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップの前記主表面から前記半導体チップの裏面まで延在し、かつ前記半導体チップの前記主表面側及び前記裏面側の夫々で前記半導体チップと固着されるテ-プとを有し、前記テ-プは、導電層と、この導電層を挟む絶縁層とからなり、かつ前記導電層と前記複数の外部端子とが電気的に接続され、かつ前記半導体チップの前記主表面及び前記裏面の夫々に位置する前記絶縁層に前記導電層を露出する開口部を夫々に有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/52

FI (2件)：

H01L 23/12 L , H01L 23/52 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243742 出願人：株式会社東芝
特開平4-085837
特開平4-085837

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