特許
J-GLOBAL ID：200903073795026072
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357451
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158224
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 ワイヤの断線の発生を防ぎつつ、半導体素子に加えられる封止用樹脂に含まれるフィラーによる応力を緩和することを目的とする。【解決手段】 リードフレーム2と、この上に固定されたICチップ3と、リードフレーム2とICチップ3を接続するワイヤ6とが樹脂により封止された樹脂封止型半導体装置を製造するときに、ICチップ3の表面上において、ボンディングパッド5を除く領域に、ワイヤ6を露出させた状態のまま、応力緩和層7を形成する。
請求項（抜粋）：
リードフレーム(2)の一面上にICチップ(3)が固定され、前記リードフレームと前記ICチップの表面に形成されたボンディングパッド(5)とがワイヤ(6)により接続されており、前記リードフレームと前記ICチップと前記ワイヤとが、フィラー入りの封止用樹脂(8)によって封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、前記封止用樹脂による前記ICチップへの応力を緩和するための応力緩和層(7)が、前記ICチップの表面上の前記ボンディングパッドを除く領域に形成され、前記ワイヤは、前記応力緩和層と前記封止用樹脂との界面と交差することなく前記封止用樹脂内において前記ボンディングパッドと前記リードフレームとを接続していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 21/56
, H01L 23/31
H01L 21/56 E
, H01L 21/56 T
, H01L 23/30 D
, H01L 23/30 B
4M109AA02
, 4M109BA01
, 4M109CA05
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EC04
, 4M109ED04
, 4M109FA08
, 5F061AA02
, 5F061BA01
, 5F061CA05
, 5F061CA21
