特許

J-GLOBAL ID：200903073832727736

半導体装置の製造方法

発明者： 笠原 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-148543
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343716
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】基板上に薄膜トランジスタを用いた集積回路を有する半導体装置の製造方法に関する技術に関して、シリコン層への不純物の付着量を減少させる洗浄技術を提供することを課題とする。【解決手段】非晶質シリコン成膜後にその表面に自然酸化膜を形成させず、クリーンな酸化膜を形成し、シリコンの結晶化を完了するプロセスを採用する。その結果、自然酸化膜を形成する工程に比べ、非晶質シリコン層に付着する不純物が減少する。さらに、非晶質シリコン層に付着する不純物が減少するので、TFTのVthのシフトを抑えることができる。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン層を形成する第一の工程と、非晶質シリコン層の表面のボロンの濃度を2.0×1016/cm3以下に保持した状態で、前記非晶質シリコン層の表面を酸化させて酸化膜を形成する第二の工程と、前記酸化膜を除去する第三の工程と、前記非晶質シリコン層の表面のボロンの濃度を2.0×1016/cm3以下に保持した状態で、前記非晶質シリコン層の結晶化を行うことにより、結晶性シリコン層を形成する第四の工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (43件)：

5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045BB14 ,  5F045CA15 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045HA17 ,  5F045HA24 ,  5F052AA11 ,  5F052CA02 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA15 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110PP01 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜トランジスタの製造方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-145608   出願人：株式会社東芝
• レーザー照射システム及びその応用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-305957   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所