特許

J-GLOBAL ID：200903073854847573

スパッタリング装置及び成膜方法

発明者： 和田 優一
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310646
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144404
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 セルフスパッタリングプロセスにおけるチャージアップや異常放電の問題を回避する手段を提供すること。【解決手段】 本発明は、真空チャンバ12と、基板Wを支持する支持手段18と、ターゲット16と、真空チャンバ内にプロセスガスを供給するためのガス供給手段25と、プロセスガスをプラズマ化するためのプラズマ化手段24と、真空チャンバを減圧するための減圧手段21とを備え、ターゲットからスパッタリングされ且つイオン化された粒子の一部をターゲットに戻し衝撃させることにより、スパッタリングを継続させ膜を形成するよう構成されたスパッタリング装置において、基板表面の近傍及び/又は基板表面に電子を照射する電子照射手段50を設け、基板表面に達するイオン化された粒子を前記電子により中性化するよう構成したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、前記真空チャンバ内において基板を支持するための支持手段と、前記支持手段によって支持される基板にエロージョン面が対面するように設けられたターゲットと、前記真空チャンバ内にプロセスガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空チャンバ内に供給されたプロセスガスをプラズマ化するためのプラズマ化手段と、前記真空チャンバを減圧するための減圧手段と、を備え、前記ターゲットからスパッタリングされ且つイオン化された粒子の一部を前記ターゲットに戻し衝撃させることにより、スパッタリングを継続させ膜を形成するよう構成されたスパッタリング装置であって、前記支持手段により支持された基板の表面近傍及び/又は前記基板の表面に電子を照射する電子照射手段を設け、前記基板の表面に達する前記イオン化された粒子を前記電子により中性化するよう構成したことを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/34 T ,  C23C 14/54 B ,  C23C 14/56 H ,  H01L 21/285 S

Fターム (12件)：

4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA15 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DC03 ,  4K029DC40 ,  4K029DC42 ,  4K029DC45 ,  4K029EA04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭50-028485
  
• イオン打込装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-110214   出願人：株式会社日立製作所, 日立計測エンジニアリング株式会社
• イオン注入機のチヤージアツプ防止装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272538   出願人：松下電子工業株式会社