特許
J-GLOBAL ID：200903073858394751

研磨方法

発明者：
太田 雅巳

太田 雅巳 について

, 
城 邦恭

城 邦恭 について

, 
橋阪 和彦

橋阪 和彦 について


出願人/特許権者：
東レ株式会社

東レ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-198796
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェハの上に形成された絶縁層または金属配線の表面を研磨により平滑にする化学機械研磨方法において、スクラッチの発生がなく、より速くグローバル平坦性が得られ、スラリー消費量が少ない化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハを化学機械的に研磨する装置にマイクロゴムA硬度が80度以上であり、ポリウレタンとビニル化合物から重合される重合体を含有し、独立気泡を有する研磨パッドを該装置の研磨定盤に取り付けて、半導体ウェハを研磨する際、スラリー供給量を研磨パッド1cm2面積あたり0.005cc〜0.05ccの範囲である事を特徴とする化学機械研磨方法。
請求項（抜粋）：
マイクロゴムA硬度が80度以上で、ポリウレタンとビニル化合物から重合される重合体を含有し、かつ独立気泡を有する研磨パッドを用いて半導体ウェハを研磨する研磨方法であって、研磨時のスラリー供給量が研磨パッド1cm2あたり0.005〜0.05cc/分であることを特徴とする研磨方法。
IPC (4件)：
B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 B ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R
Fターム (11件)：
3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058BA04 ,  3C058BA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM