特許

J-GLOBAL ID：200903073867088094

可変周波広帯域低雑音FET

発明者： 斉藤 昭
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150059
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326871
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】所望の周波数で等利得円と等NF円の中心を近づけることができ、かつチップサイズも小さい低雑音FETの構造の提供。【解決手段】線路インダクタンスと並列に、FETのソース電極とオーミック電極を兼ねたショットキーダイオードを作りつけることで、ソースインダクタンスを可変とし所望の周波数で等利得円と等NF円の中心を近づける。

請求項（抜粋）：

低雑音用FETにおいて、FETのソース電極がインダクタンスを構成する線路を介してチップ裏面と電気的に短絡されるバイアホールに連なるとともに、FETのソース電極及び活性層をオーミック電極にしたショットキーダイオードを介してダイオードのバイアス電極に連なり、かつ前記ダイオードのバイアス電極と直列にMIM容量を介して前記バイアホールにも接続している、ことを特徴とする、低雑音FET。

IPC (7件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/872 ,  H03F 3/16

FI (5件)：

H01L 29/80 E ,  H03F 3/16 Z ,  H01L 27/06 F ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/48 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マイクロ波発振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-123716   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-039073