偏波変調可能な分布帰還型半導体レ-ザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051205
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235718
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】外部からの制御によって出力光の偏光状態を変化させることができる偏波変調可能な半導体レーザ及びその使用法に関するものである。【構成】本発明の偏波変調可能な半導体レーザによれば、分布帰還型半導体レ-ザ構造を有し、半導体レ-ザ構造の共振器方向に、異なる特性を有する2つの分布帰還部11a,11bを具備する。分布帰還部11a,11bの夫々に位相シフト部10a,10bが設けられ、2つの分布帰還部11a,11bを形成する回折格子2a,2bの周期は次の様に設定される。2つの分布帰還部11a,11bにおいて、夫々TEモ-ド及びTMモ-ドが支配的となる為に、TEモ-ド及びTMモ-ドのゲインスペクトルのピ-クにTEモ-ド及びTMモ-ドのブラッグ波長が一致する。

請求項（抜粋）：

分布帰還型半導体レ-ザ構造を有し、該半導体レ-ザ構造の共振器方向に、異なる特性を有する2つの分布帰還部(DFB)を具備し、該分布帰還部の夫々に位相シフト部が設けられ、該2つの分布帰還部を形成する回折格子の周期は、該2つの分布帰還部において夫々TEモ-ド及びTMモ-ドが支配的となる為にTEモ-ド及びTMモ-ドのゲインスペクトルのピ-クにTEモ-ド及びTMモ-ドのブラッグ波長が一致するように、設定されていることを特徴とする分布帰還型半導体レ-ザ。

IPC (2件)：

H01S 3/103 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (8件)

特表平6-505363
特開昭62-042593
特開平2-159781

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