特許
J-GLOBAL ID:200903073872838123

IIIB族窒素化合物の合成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野田 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-010168
公開番号(公開出願番号):特開2002-220213
出願日: 2001年01月18日
公開日(公表日): 2002年08月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体超微粒子は、発光デバイスやディスプレイデバイス、光記録材料などへの応用が期待され、現在、II-VI族半導体の超微粒子が使用されている。しかしこれらは信頼性および耐久性に問題があった。そこでこれに替わる材料として窒化ガリウムがあるが、合成原料のガリウムイミドポリマーの取り扱いが非常に難しく、結晶表面をヘキサデシルアミンで処理するプロセスを設けなければならないため、製造コストの上昇をもたらしていた。【解決手段】 トリス(ジメチルアミノ)ガリウムを、トリオクチルアミン中で加熱分解し、窒化ガリウムを合成した。得られた窒化ガリウムは、励起子ボーア半径の4倍よりも小さい微粒子状のものであった。
請求項(抜粋):
少なくともIIIB族元素、窒素および炭素を含む化合物を、溶媒中で加熱して分解することを特徴とするIIIB族窒素化合物の合成方法。
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
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