特許

J-GLOBAL ID：200903073884149129

光電変換素子

発明者： 小塚 開 ,  小泉 徹 ,  澤田 幸司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198146
公開番号（公開出願番号）：特開2004-312039
出願日： 2004年07月05日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】空乏層が形成される半導体領域の欠陥発生が抑制された光電変換素子を提供する。【解決手段】本発明の光電変換素子は、第1導電型の第1半導体領域67と、該第1半導体領域の上に配された、第1導電型で、該第1半導体領域よりも不純物濃度の低い第2半導体領域61と、該第2半導体領域の表面に配された第2導電型の電極領域62と、該電極領域に接続された電極15と、該電極に接続された読み出し回路の増幅素子M2と、を有する。【選択図】図24

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体領域と、 該第1半導体領域の上に配された、第1導電型で、該第1半導体領域よりも不純物濃度の低い第2半導体領域と、 該第2半導体領域の表面に配された第2導電型の電極領域と、 該電極領域に接続された電極と、 該電極に接続された読み出し回路の増幅素子と、 を有することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L27/146 ,  H01L31/10

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 A

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  5F049MA02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049QA04 ,  5F049UA14

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開昭55-154784号公報
  
• 特開昭61-264758号公報
  
• 特開平01-303752号公報
  
• 特開昭64-14958号公報
  
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010336   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (3件)

• 光電変換装置及び密着型イメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142192   出願人：キヤノン株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010336   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像素子およびその駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-022867   出願人：ソニー株式会社