高純度金属シリコンとその製錬法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：太田恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-518979
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537491
出願日： 2002年07月22日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

本発明は、とくに太陽電池セルの製造のためのシリコンを対象としており、該シリコンが含有する不純物合計は100ppmと400ppmの間に含まれ、ホウ素含有率は0.5ppmと3ppmの間に含まれ、リン含有率とホウ素含有率との間の比は1と3の間に含まれ、金属元素含有率は30ppmと300ppmの間に含まれる。本発明はまた、酸素又は塩素で精錬され、金属元素を500ppm未満含有する金属シリコンから、この品位のシリコンを製造する方法も対象としており、該方法は以下を有する:・高温るつぼを備えた電気炉で、中性雰囲気下で、精錬シリコンを再溶融すること、・プラズマ下での精錬を実現するために、高温るつぼを備えた電気炉内に溶融シリコンを移送すること、・アルゴンと、塩素、フッ素、HClおよびHFで構成されるグループに属する少なくとも一つの気体との混合物をプラズマ発生気体として、プラズマ下で精錬すること、・分離凝固が実現される鋳造鋳型内へ、制御雰囲気下で鋳込みを行うこと。

請求項（抜粋）：

酸素又は塩素で精錬され金属元素を500ppm未満含有する金属シリコンから光起電力品位のシリコンを製錬する方法であって、以下を有する方法: ・高温るつぼを備えた電気炉で、中性雰囲気下で、精錬シリコンを再溶融すること、・プラズマ下で精錬を実現するために、高温るつぼを備えた電気炉内に溶融シリコンを移送すること、・アルゴンと、塩素、フッ素、塩酸およびフッ化水素酸で構成されるグループに属する少なくとも一つの気体との混合物をプラズマ発生気体とし、該混合物が5%から90%のアルゴンを含有する状態で、再溶融シリコンをプラズマ下で精錬すること、・分離凝固が実現される鋳造鋳型内へ、制御雰囲気下で鋳込みをすること。

IPC (1件)：

C01B33/037

FI (1件)：

C01B33/037

Fターム (11件)：

4G072AA01 , 4G072BB01 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072MM08 , 4G072MM38 , 4G072NN02 , 4G072RR21 , 4G072RR25 , 4G072TT19 , 4G072UU02

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-228414
特開平4-228414
特開平4-130009

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