特許

J-GLOBAL ID：200903073904414193

半導体装置のプロセスモニタ-方法

発明者： 澤瀬 研介 ,  山本 浩貴
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200816
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 プロセスモニターによる検査を実際の製品における酸化膜の信頼性と対応させ、プロセスモニターにより酸化膜の品質を精度よく検査して、その信頼性を向上させることができる半導体装置のプロセスモニター方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1からなるウェハの表面にプロセスモニター用の酸化膜2、3を設け、その上にポリシリコン膜5を設けることによりモニター用パターン10を形成し、半導体基板1とポリシリコン膜5との間に電圧および/または電流を印加して前記酸化膜2、3の膜質を評価する。このモニター用パターン10に形成される酸化膜2、3として、そのモニター用パターン10が形成されるウェハに設けられる実際のチップのパターンと同程度またはそれより小さいアクティブ領域に凹凸を有する酸化膜のパターンを形成して行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板からなるウェハの表面にプロセスモニター用の酸化膜を設け、その上に導電膜を設けることによりモニター用パターンを形成し、前記半導体基板と前記導電膜との間に電圧および/または電流を印加して前記酸化膜の膜質を評価するプロセスモニター方法であって、前記モニター用パターンに形成される前記酸化膜として、該モニター用パターンが形成されるウェハに設けられる実際のチップのパターンと同程度またはそれより小さいアクティブ領域に凹凸を有する酸化膜のパターンを形成して行う半導体装置のプロセスモニター方法。

Fターム (10件)：

4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106AB08 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  4M106AB20 ,  4M106BA14 ,  4M106CA01 ,  4M106CA14 ,  4M106CA27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-031465
  
• 半導体装置及びその評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-055695   出願人：ソニー株式会社