特許

J-GLOBAL ID：200903073906608394

プラズマ処理装置

発明者： スニル ウィクラマナヤカ
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151540
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087311
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【解決手段】 基板ホルダとrf電極を含む処理チャンバを備えたプラズマ処理装置であり、処理チャンバでは容量結合型あるいは誘導結合型のプラズマが生成される。当該プラズマ処理装置は、処理チャンバの2つの対向する外側位置に、rf電極の表面に実質的に平行である方向を持つ磁界を生成する2つの磁石ロッドを有する。2つの磁石ロッドの長軸は互いに平行である。2つの磁石ロッドは、電気モータによってその長軸の周りに同期して回転される。磁界の方向は、2つの磁石ロッドの回転に伴って交互に逆転される。

請求項（抜粋）：

基板ホルダとrf電極が配置され、前記基板ホルダと前記rf電極の間に容量結合型または誘導結合型のプラズマが生成される処理チャンバを有するプラズマ処理装置であって、このプラズマ処理装置は、前記処理チャンバの外側の相対向する2ヶ所に、その長軸が互いに平行であるように配置され、前記rf電極の表面に実質的に平行な方向を有する磁界を作る2つの磁石ロッドと、前記2つの磁石ロッドを、その長軸の回りに同期して回転させる電気モータとを備え、前記磁界の方向が、前記2つの磁石ロッドの回転に伴って逆転をくり返すことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マグネトロン型プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-300911   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• スパッタリング電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-153234   出願人：松下電器産業株式会社