特許

J-GLOBAL ID：200903073910044730

半導体装置及びその製造方法

発明者： 平野 尚彦 ,  土井 一英 ,  岡田 隆 ,  蛭田 陽一 ,  田窪 知章 ,  田沢 浩 ,  細美 英一 ,  柴崎 康司
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124313
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298269
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 フリップチップ実装されるチップのコーナー部に、実装基板とチップとの間に充填される樹脂封止体を注入するためのゲート領域を設ける。【構成】 半導体素子1は、主面の周辺部に各辺に沿って形成された複数のバンプ3を備え、回路基板2の主面には、複数のパッド電極が形成されこのパッド電極と前記半導体素子の前記バンプ3とが接合されている。前記半導体素子と前記回路基板との間には樹脂封止体4が充填されている。前記半導体素子のコーナー部には、前記樹脂封止体が注入されるゲート領域5が形成されている。ゲート領域5は、バンプが形成されないか、バンプ間を広く配置しているので、この領域から注入される樹脂は半導体素子内部へ均一に侵入していく。

請求項（抜粋）：

主面の周辺部に各辺に沿って形成された複数の突起電極を備えた半導体素子と、主面に複数のパッド電極が形成され、このパッド電極と前記半導体素子の前記突起電極とが接合されている回路基板と、前記半導体素子と前記回路基板との間に充填された樹脂封止体とを備え、前記半導体素子のコーナー部には、前記樹脂封止体が注入されるゲート領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28

FI (4件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/28 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-276838
  
• 特開平1-120835
  
• 特開平4-330741
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-082679   出願人：シチズン時計株式会社