特許
J-GLOBAL ID:200903073917006329
誘電膜、およびその製造方法、並びにそれを用いたアクチュエータ、センサ、トランスデューサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
進藤 素子
, 東口 倫昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-144920
公開番号(公開出願番号):特開2009-296703
出願日: 2008年06月02日
公開日(公表日): 2009年12月17日
要約:
【課題】 絶縁性が高く、耐久性に優れた誘電膜、およびその製造方法を提供する。また、そのような誘電膜を使用して、耐久性、安定性に優れたアクチュエータ、センサ、トランスデューサを提供する。【解決手段】 誘電膜は、ポリジメチルシロキサン以外のゴムポリマーと、金属アルコキシド化合物と、から合成された三次元架橋体からなる。この誘電膜を、少なくとも一対の電極間に介装して、アクチュエータ、センサ、トランスデューサを構成する。また、誘電膜の製造方法を、ポリジメチルシロキサン以外のゴムポリマーが溶解可能であり、かつ、金属アルコキシド化合物をキレート化できる溶剤中で、該ゴムポリマーと該金属アルコキシド化合物とを混合する混合工程と、該ゴムポリマーと該金属アルコキシド化合物との混合溶液から該溶剤を除去して、架橋反応を進行させる架橋工程と、を有するよう構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
アクチュエータ、センサ、トランスデューサのいずれかにおいて少なくとも一対の電極間に介装され、
ポリジメチルシロキサン以外のゴムポリマーと、金属アルコキシド化合物と、から合成された三次元架橋体からなることを特徴とする誘電膜。
IPC (3件):
H02N 1/00
, C08L 57/00
, C08K 5/057
FI (3件):
H02N1/00
, C08L57/00
, C08K5/057
Fターム (12件):
4J002AC071
, 4J002AC091
, 4J002AC111
, 4J002BB061
, 4J002BB241
, 4J002BB271
, 4J002BD121
, 4J002BG041
, 4J002CK021
, 4J002CP081
, 4J002EC076
, 4J002GQ00
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)